中芯国际将于2019下半年启用14nm FinFET芯片生产线

[导读] 半导体合约制造商中芯国际(SMIC)本月宣布,其将于今年年底开始基于 14nm FinFET 制造工艺的商业化芯片生产。作为其首条 FinFET 生产线,这是一项吸引了无数人关注的发展。该公司预测,其 14nm 制程节点将出现相当快速的增长,并为其营收业绩作出有意义的贡献。

半导体合约制造商中芯国际(SMIC)本月宣布,其将于今年年底开始基于 14nm FinFET 制造工艺的商业化芯片生产。作为其首条 FinFET 生产线,这是一项吸引了无数人关注的发展。该公司预测,其 14nm 制程节点将出现相当快速的增长,并为其营收业绩作出有意义的贡献。

中芯国际将于2019下半年启用14nm FinFET芯片生产线

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中芯国际称,其 14 纳米 FinFET 采用完全自主研发的制造技术。与依赖平面型晶体管的 28nm 制造工艺相比,预计可显著提升晶体管密度、提升性能、以及降低芯片的功耗。

该公司原计划在 2019 上半年开始生产 14nm 芯片,但现在有些落后于既定的时间表。尽管如此,FinFET 工艺的突破,对这家公司仍然有着巨大的意义(跻身包括另五家代工厂在内的俱乐部)。

需要指出的是,目前中芯国际只有两座较小的 300mm HVM 晶圆厂(用于 28~65 nm 制程节点产品的制造),当前营收占比在 40~49% 左右(今年 1/2 季度)。

今年早些时候,中芯国际完成了价值 100 亿美元的 FinFET 工厂的建设,它将用上该公司最尖端的制造技术。

一旦晶圆厂做好了商业运营的准备,该公司将能够使用其 14nm 和 12nm FinFET 工艺,大幅提升芯片的产能。

中芯国际的长期计划,包括 10nm 和 7nm 制造工艺。预计后者需使用极紫外光刻设备,该公司去年以 1.2 亿美元从 ASML 购买的 EUV 步进扫描系统,也将于 2019 年交付。

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